[发明专利]一种肖特基二极管的正面电极结构及其工艺制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管的正面电极工艺方法及其电极结构，所述的方法包括常规的外延、氧化、一次光刻、硼注入、退火、二次光刻、二氧化硅腐蚀、势垒淀积、势垒合金、势垒腐蚀步骤外，本发明采用了清洗，依次真空蒸发接触层金属Ti(钛)或V(钒)、过渡层金属Ni(镍)、阻挡层金属Al(铝)、过渡层金属Ni(镍)、导电层金属Ag(银)等步骤，以形成具有电极金属Ag、Ni、Al、Ni、Ti或V正面电极结构。本发明有益效果在于，焊接封装时可以通过Al层对应力的阻挡作用来减轻应力对器件硅表面的损伤；焊接拉力和产品的抗ESD能力都得到了明显的提高。

主权项

一种肖特基二极管的正面电极工艺制造方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤1：外延，在重掺杂硅衬底上淀积一定厚度的轻掺硅外延层；步骤2：氧化，对硅片进行一次氧化，在硅外延层表面生成一层二氧化硅膜以起到掩蔽及钝化保护作用；步骤3：一次光刻，对硅片进行一次光刻，在二氧化硅表面形成保护环窗口图形；步骤4：二氧化硅腐蚀，对硅片进行二氧化硅腐蚀，形成保护环窗口，要求窗口区二氧化硅厚度小于100埃；步骤5：硼注入，对硅片进行硼注入，对窗口区域进行硼元素掺杂；步骤6：退火，对硅片进行高温处理，一般在1000℃以上，以达到对杂质扩散、激活的目的；步骤7：二次光刻，对硅片进行二次光刻，在二氧化硅表面形成接触区窗口图形；步骤8：二氧化硅腐蚀，对硅片进行二氧化硅腐蚀，形成接触区窗口，要求窗口区二氧化硅厚度小于100埃；步骤9：势垒淀积，用真空蒸发或溅射的方法在硅片表面淀积一层势垒金属；步骤10：势垒合金，对硅片进行低温处理，在一定温度下使势垒金属与硅形成金属硅化物；步骤11：势垒腐蚀，用势垒金属腐蚀液对硅片进行腐蚀，去除没有形成合金的势垒金属；步骤12：清洗，采用3#液、HF酸的常规清洗方法，对肖特基二极管芯片进行真空蒸发镀膜前清洗，确保蒸发前芯片表面的清洁；步骤13：正面电极蒸发，依次真空蒸发接触层金属Ti(钛)或V(钒)、过渡层金属Ni(镍)、阻挡层金属Al(铝)、过渡层金属Ni(镍)、导电层金属Ag(银)；步骤14：三次光刻，对硅片进行三次光刻，在五层金属层表面形成电极窗口图形；步骤15：电极腐蚀，使用银腐蚀液、铝腐蚀液、HF酸(含Ti结构)对硅片进行电极腐蚀，依次腐蚀电极金属Ag、Ni、Al、Ni、Ti或V，以形成正面电极结构；步骤16：去胶，将硅片置于去胶液中一定时间，以达到将电极表面的光刻胶去除干净的效果；步骤17：减薄，采用机械研磨的方法对硅片背面进行研磨，以达到减薄硅片的效果，减薄厚度由封装工艺而定；步骤18：背面电极蒸发，真空蒸发背面电极金属。