[发明专利]半导体结构及其制作工艺无效
| 申请号： | 201010606570.7 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102479770A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 简俊贤;刘汉诚;张香鈜;傅焕钧;郭子荧;蔡文力 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/485;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包括一半导体晶片、多个穿硅导孔以及一阻裂沟槽。半导体晶片具有一第一表面以及相对于第一表面的一第二表面。穿硅导孔埋入半导体晶片，并且连接第一表面以及第二表面。阻裂沟槽位于半导体晶片的第二表面的外围，且阻裂沟槽的深度小于或等于半导体晶片的厚度。所述半导体制作工艺首先提供一半导体晶片，其具有多个穿硅导孔。每一穿硅导孔的一第一端连接半导体晶片的第一表面。接着，在背对第一表面的半导体晶片的一背侧形成前述阻裂沟槽。然后，由背侧来薄化半导体晶片，以暴露出每一穿硅导孔的一第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体晶片，具有第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面；多个穿硅导孔(through silicon via，TSV)，埋入该半导体晶片，其中每一穿硅导孔的一第一端连接该第一表面，且每一穿硅导孔的一第二端连接该第二表面；以及阻裂沟槽，位于该半导体晶片的该第二表面的外围，且该阻裂沟槽的深度小于或等于该半导体晶片的厚度。
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