[发明专利]一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法有效
| 申请号： | 201010606816.0 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102175754A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 钱荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01N27/68 | 分类号： | G01N27/68 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法，其包括如下具体步骤：a)将待分析的非导体材料加工成条状样品；b)清洗条状样品，烘干；c)将金属铟置入石英坩埚中，加热至熔融状态；d)使条状样品表面包覆一层金属铟膜；e)再次清洗条状样品，烘干；f)进行直流辉光放电质谱分析。使用本发明的分析方法：无需研磨样品，无需抛光，前处理简单，避免了污染；操作简便，大大减少了金属铟的使用量，降低了分析成本；放电与导体样品类似，容易稳定且信号稳定性好，信噪比(S/N)理想，缩短了分析时间和提高了分析效率；能适合块状或晶体材料的分析，普适性强，应用范围广；具有很好的放电稳定性以及分析重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用 辉光 放电 谱分析 非导体 材料 新方法 | ||
【主权项】：
一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法，其特征在于，包括如下具体步骤：a)将待分析的非导体材料加工成条状样品；b)清洗条状样品，烘干；c)将金属铟置入石英坩埚中，加热至熔融状态；d)使条状样品表面包覆一层金属铟膜；e)再次清洗条状样品，烘干；f)进行直流辉光放电质谱(dc‑GD‑MS)分析。
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