[发明专利]低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置

摘要

本发明涉及一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，利用四个功率MOSFET管、两个电感和五个二极管构成无桥交错倍压PFC电路，面对低输入电压和大功率应用场合，能进一步提高电路转换效率和减少电路波纹。本发明集成了二极管整流桥与功率因数校正电路，具有固有的倍压功能，能降低电流的有效值，从而能降低导通损耗，减少电路纹波，提高了效率，适合于低压大功率应用场合。

主权项

一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，包括交流输入电源Vin，功率MOSFET管S1P、S1N、S2P、S2N，二极管Do、D1、D2、D3、D4，电容CB1、CB、CO，电感L1、L2，其特征在于：所述交流输入电源Vin的一端接二极管D3的阳极、D4的阴极、功率MOSFET管S1N、S2N的漏极，交流电源的另一端接电感L1、L2，电感L1的另一端接功率MOSFET管S2P的漏极、二极管D1的阳极、D2的阴极，电感L2的另一端接功率MOSFET管S1P的漏极、电容CB1的正极、CB的负极，二极管D1的阴极接Do的阳极、电容CB的正极，二极管Do的阴极接D3的阴极、电容CO的正极、输出负载正极，电容CO的负极接二极管D4的阳极、D2的阳极、电容CB1的负极、输出负载负极，功率MOSFET管S2P的源极与S2N的源极相连，功率MOSFET管S1P的源极与S1N的源极相连，功率MOSFET管S1P、S1N、S2P、S2N的栅极接各自的控制驱动信号。