[发明专利]一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010607320.5 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102061498A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 徐峰;孙立涛;董方洲;毕恒昌;尹奎波;万能 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C30B19/12;C30B29/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法，是基于水溶液体系的两步合成法，首先采用电化学沉积方法直接在导电玻璃基底上生长ZnO纳米柱阵列；然后通过水溶液化学生长方法在原先的ZnO纳米柱端面上外延生长纳米针。本发明中的注射器状ZnO纳米结构阵列采用两步合成法制备，既保证了ZnO纳米结构阵列在导电基底上的附着强度，提高了电学传导性能，又实现了利于电子发射的尖状纳米结构的可控生长，改善了阵列结构的场发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 注射器 zno 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法，是基于水溶液体系的两步合成法，其特征在于：首先采用电化学沉积方法直接在导电玻璃基底上生长ZnO纳米柱阵列；然后通过水溶液化学生长方法在原先的ZnO纳米柱端面上外延生长纳米针。
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