[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

摘要

本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。一种在研磨半导体晶片的背面侧的工艺中防止主面侧的污染的方法。在要研磨背面侧的半导体晶片的划片区的相交区处，以与将构成布线层的绝缘层叠置在器件区上相同的方式在主面上叠置多个绝缘层。此外，在与设置在为器件区形成的多个布线层中的最上层上的最上布线相同的层中，形成金属图案。而且，还在金属图案上形成覆盖最上布线的第二绝缘层以便覆盖金属图案。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件含有主面、与所述主面相反的背面、在所述主面上形成的多个器件区和设置在所述器件区之间的划片区，所述方法包括：(a)供应研磨液并研磨所述半导体晶片的所述背面，其中覆盖所述主面的保护片粘贴至半导体晶片的所述主面；以及(b)在所述步骤(a)之后，通过使切片刀沿着所述划片区行进切割所述半导体晶片，以便将所述晶片划分成分开的各个器件区，其中，所述半导体晶片的所述器件区中的每一个都包括在所述主面上形成的多个半导体元件、覆盖所述半导体元件地形成的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上形成的最上布线层、为所述最上布线层形成且与所述半导体元件电耦合的多个端子、和覆盖所述最上布线层地形成且含有分别使所述端子暴露出来的多个开口的第二绝缘层，其中，在所述半导体晶片的所述划片区的一部分中，在所述主面上形成所述第一绝缘层，为所述最上布线层形成第一金属图案，并且所述第二绝缘层覆盖所述第一金属图案的整个上表面，以及其中，所述步骤(a)在所述保护片粘贴在所述第二绝缘层上之后执行。