[发明专利]冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201010608306.7 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102001650A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 黄磊;常全鸿;纪乐春;刘洋;郭桂略;王涛 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 张美娟 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法，其具体步骤如下：1)将衬底放置在具有循环水冷却的密闭腔体中，腔壁的温度控制为室温至100℃；2)通入载气并加热衬底；3)持续通入含碳源气体5秒至30分钟；4)衬底冷却后，衬底表面可生成石墨烯。相比较目前广泛使用的热腔壁化学气相沉积法，冷腔壁化学气相沉积法加热区域只限制在衬底部位，而腔体的其他部位得到冷却，可以减少含碳源气体分解量和精确控制石墨烯的生长厚度，以至碳能够以单原子层的形式沉积在衬底表面生成单层石墨烯。本发明制备的石墨烯具有均匀性好，面积大，缺陷少，导电性能优异，机械性能好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 冷腔壁 条件下 化学 沉积 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法，其特征在于：其具体步骤如下：1)将衬底放置在具有循环水冷却的密闭腔体中，腔壁的温度控制为室温至100℃；2)通入载气并加热衬底；3)持续通入含碳源气体5秒至30分钟；4)衬底冷却后，衬底表面可生成石墨烯。
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