[发明专利]硅锗酸铋混晶及其制备方法无效
| 申请号： | 201010608864.3 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102011187A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 徐家跃;申慧;张彦;周鼎;金敏;江国健;房永征 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗酸铋混晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型硅锗酸铋混晶，其特征在于其分子式为Bi4Si3‑xGexO12，其中X的变化范围是0.01～2.99。
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