[发明专利]制造太阳能电池的方法以及用该方法制造的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201010609047.X 申请日: 2010-12-20
公开(公告)号: CN102447003A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 金炳埈 申请(专利权)人: 金炳埈
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0216;C30B33/10
代理公司: 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 代理人: 郑青松
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种通过处理太阳能电池的硅基片表面而制造太阳能电池的方法,由该方法制造的太阳能电池以及用于实施该方法的基片处理系统。制造太阳能电池的方法包括突起形成步骤,其包括湿蚀刻处理而且用于在晶体硅基片的光接收表面上形成多个微小突起,以及平面化步骤,在突起形成步骤之中或之后对底面即与基片的光接收表面相对的表面进行平面化。
搜索关键词: 制造 太阳能电池 方法 以及
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,该方法包括:包含湿蚀刻处理的突起形成步骤,用于在晶体硅基片的光接收表面上形成多个微小突起;和平面化步骤,在所述突起形成步骤期间或之后对底面、即与基片的所述光接收表面相对的表面进行平面化。
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