[发明专利]功率半导体模块和用于运行功率半导体模块的方法有效
申请号: | 201010609447.0 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102184914A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | D·多梅斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H03K17/687 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种功率半导体模块,所述功率半导体模块包括常通的可控的第一功率半导体开关和常断的可控的第二功率半导体开关,该第一功率半导体开关包括至少一个第一功率半导体芯片,并且该第二功率半导体开关包括至少一个第二功率半导体芯片。第一功率半导体开关和第二功率半导体开关的负载路径以串联方式连接。所有第一功率半导体芯片的控制端子永久性地导电连接到导电带,任何一个第一功率半导体芯片的负载端子都不永久性地导电连接到该导电带,并且任何一个第二功率半导体的负载端子和控制端子都不永久性地导电连接到该导电带。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 用于 运行 方法 | ||
【主权项】:
一种功率半导体模块,包括:常通的可控的第一功率半导体开关,该第一功率半导体开关包括一个或多个以并联方式电连接的第一功率半导体芯片,每个第一功率半导体芯片具有第一负载端子、第二负载端子、控制端子、以及形成在有关第一功率半导体芯片的第一负载端子和第二负载端子之间的负载路径,其中第一功率半导体开关具有由第一功率半导体芯片的负载路径构成的并联电路形成的负载路径;常断的可控的第二功率半导体开关,该第二功率半导体开关包括一个或多个以并联方式电连接的第二功率半导体芯片,每个第二功率半导体芯片具有第一负载端子、第二负载端子、控制端子、以及形成在有关第二功率半导体芯片的第一负载端子和第二负载端子之间的负载路径,其中第二功率半导体开关具有由第二功率半导体芯片的负载路径构成的并联电路形成的负载路径;电路载体,该电路载体包括具有顶侧和施加到顶侧的上金属化层的绝缘载体,所述金属化层被构造为形成导电带;其中:所有第一功率半导体芯片被布置在导电带中的第一导电带上;所有第二功率半导体芯片被布置在导电带中的第二导电带上;第一功率半导体开关和第二功率半导体开关的负载路径以串联方式电连接;所有第一功率半导体芯片的控制端子被永久性地导电连接到导电带中的第三导电带;第一功率半导体芯片的第一负载端子和第二负载端子都不永久性地导电连接到第三导电带;第二功率半导体芯片的第一负载端子、第二负载端子和控制端子都不永久性地导电连接到第三导电带;以及第二功率半导体芯片的第二负载端子永久性地导电连接到导电带中的第四导电带。
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