[发明专利]用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液有效
| 申请号： | 201010609470.X | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102533123A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 马新胜;黄凯毅;高玮;杨景辉;孔凡滔 | 申请（专利权）人： | 上海华明高技术（集团）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 200231 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，由如下重量百分比的组分组成：酸性pH调制剂0.2-5％，哌啶类氮氧自由基0.01-5％，表面活性剂0.1-15％，研磨颗粒0.5-20％和余量的水。本发明的抛光液可以在酸性条件下显著改变氮化硅的去除速率，调节二氧化硅与氮化硅的选择比，并具有配制工艺简单、抛光精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 半导体 晶片 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，由如下重量百分比的组分组成：酸性pH调制剂0.2‑5％，哌啶类氮氧自由基0.01‑5％，表面活性剂0.1‑15％，研磨颗粒0.5‑20％和余量的水。
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