[发明专利]功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法有效
| 申请号： | 201010610706.1 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102136469A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | H·哈通;D·西佩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L23/29;H01L23/15;H01L21/60;H01L21/98;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法。本发明涉及功率半导体模块(100)，其包括被设置在绝缘载体(20)的金属化层(22)上的功率半导体芯片(8)。在连接位置(8c)处，连接导体(85)被接合至功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面。封装化合物(5)从电路载体(2)延伸至至少在功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面上，并完全覆盖所述面。此外，封装化合物至少在连接位置(8c)的区域中包围连接导体(85)。封装化合物依照DIN ISO 2137在25℃温度下具有小于或等于30的穿透率。在功率半导体模块工作期间，功率半导体芯片(8)以至少20秒的持续时间工作在不低于150℃的结温度下。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 以及 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，包括：‑电路载体(2)，其包括具有顶面(20t)的绝缘载体(20)，金属化层(22)设置在所述顶面上；‑功率半导体芯片(8)，其设置在金属化层(22)的背离电路载体(2)上的绝缘载体(20)的那一面上，并在其背离电路载体(2)的顶面(8t)上具有上部芯片金属化物(82)，所述上部芯片金属化物由具有大于或等于1μm的厚度(d82)的铜或铜合金构成；‑电连接导体(85)，其由铜或铜合金构成，并且在连接位置(8c)处连接到上部芯片金属化物(82)；‑封装化合物(5)，所述封装化合物‑从电路载体(2)延伸到至少在功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面之上，并完全覆盖所述面；‑至少在连接位置(8c)的区域中包围所述连接导体；‑依照DIN ISO 2137在25℃的温度下具有小于或等于30的穿透率。
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