[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露所述衬底上的导电部分的开口；设置在所述开口内的阻挡层图案；以及设置在所述阻挡层图案上的导电图案，所述导电图案具有从所述开口伸出的氧化部分和位于所述开口内的非氧化部分，其中所述导电图案的宽度由所述阻挡层图案的厚度决定。