[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010612589.2 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569087A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙；预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区；对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺，从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区。本发明中的MOS晶体管的制作方法，通过自对准硅化物工艺前对源漏区的衬底进行预非晶化处理，之后进行自对准硅化物工艺，这样可以在源漏区形成超薄的低阻多晶金属硅化物，而不是超薄的高阻外延单晶金属硅化物，因此能够有效降低源/漏寄生电阻，明显改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙；预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区；对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺，从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010612589.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
