[发明专利]基板处理装置的气体供给结构有效
| 申请号： | 201010613017.6 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157327A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 孙亨圭 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及的基板处理装置的气体供给结构，将喷头以四边形环状结构配置在腔室的上部，或者喷头的喷射面为曲面、喷射口形成放射状结构，以便在腔室内更加均匀地喷射工艺气体，从而能够形成均匀的等离子体，可提供提高蚀刻处理性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 气体 供给 结构 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置的气体供给结构，其特征在于，包括：导引架，具备构成多边形框体的外廓面的外廓架和设置在所述外廓架的内部且分隔中央窗口和该中央窗口周边的周边窗口的分隔架；喷头，在所述分隔架的底面以多边形环状结构配置，以便向腔室内部喷射工艺气体。
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