[发明专利]一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法

摘要

本发明公开了一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法，其包括以下步骤：(1)将硅片放入扩散炉内；温度从780-810℃升至840℃-860℃，同时通入POCL3+O2+N2，12-14min；(2)当在扩散炉温度升至840-860℃，恒温2-5mim同时通入O2+N2；温度从840-860℃升至870-890℃同时通入POCL3+O2+N2，8-12min；然后将温度从870-890℃降至800℃，在降温过程中通入O2+N2；在800℃稳定2min，并通入POCL3+O2+N2；(3)将硅片从扩散炉内取出。本发明既能兼顾发射区的掺杂浓度要求，又能兼顾扩散中发射区表面浓度要求，吸杂效果好，掺杂曲线的分布更为合理。

主权项

一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法，其特征在于：其包括以下步骤：(1)将硅片放入扩散炉内；温度从780‑810℃升至840℃‑860℃，同时通入POCL3600‑1000sccm、O2 200‑500sccm、N2 4‑8slm，用时12‑14min；(2)当扩散炉温度升至840‑860℃，恒温2‑5min，同时通入O2 200‑500sccm、N2 5‑9slm；温度从840‑860℃升至870‑890℃，同时通入POCL3 400‑700sccm、O2 200‑500sccm、N24‑8slm，用时8‑12min；然后将温度从870‑890℃降至800℃，在降温过程中通入O2300‑800sccm、N2 5‑9slm；在800℃稳定2min，并通入POCL3 800‑2000sccm、O2 500‑1000sccm、N2 5‑12slm；(3)将硅片从扩散炉内取出。