[发明专利]电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路有效
| 申请号： | 201010613497.6 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102156505A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高野阳一;山口公一;桑原浩一 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;郭凤麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。本发明的目的在于提供以简单的结构来补偿耗尽型MOS晶体管的温度特性的电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。所述电流源电路的特征在于，包含：由两个增强型MOS晶体管(Q2、Q3)构成的电流镜电路；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极连接，作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管(Q1)；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的源极连接的、具有负的温度特性的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 电路 以及 使用 延迟 振荡 | ||
【主权项】：
一种电流源电路，其特征在于，具有：由两个增强型MOS晶体管构成的电流镜电路；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管的漏极连接的、作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管；以及与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管的源极连接的、具有负的温度特性的电阻。
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