[发明专利]一种可控硅器件

摘要

本发明公开了一种可控硅器件，包括P型衬底，在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱，在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区，实现了触发电压值降低；通过P型衬底中添加电位浮空的第二N阱，实现了维持电压值的增加，从而达到一个低触发、高维持电压的目的。而且，本发明可控硅器件结构简单，单位面积版图效率高、电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。

主权项

一种可控硅器件，包括P型衬底(41)，其特征在于：所述P型衬底(41)上沿横向设置有与电学阳极连接的第一N阱(42)和电位浮空的第二N阱(43)，所述第一N阱(42)和第二N阱(43)不相连接；由第一N阱(42)指向第二N阱(43)的方向，在所述第一N阱(42)、第二N阱(43)和P型衬底(41)上未设N阱的区域中，沿横向依次设有第一N+注入区(44)、第一P+注入区(45)、第三N+注入区(49)、第二N+注入区(46)和第二P+注入区(47)；其中，所述第一N+注入区(44)和第一P+注入区(45)设置在第一N阱(42)中，所述第三N+注入区(49)的两端分别跨设在第一N阱(42)和第二N阱(43)上，所述第二N+注入区(46)和第二P+注入区(47)设置在P型衬底(41)上未设N阱的区域；所述第一P+注入区(45)和第一N+注入区(44)均接入电学阳极，所述第二P+注入区(47)和第二N+注入区(46)均接入电学阴极，所述第三N+注入区(49)则不接任何电极；所述第一N+注入区(44)和第一P+注入区(45)之间通过第一浅壕沟隔离(48a)进行隔离，所述第一P+注入区(45)和第三N+注入区(49)之间通过第二浅壕沟隔离(48b)进行隔离，所述第三N+注入区(49)和第二N+注入区(46)之间通过第四浅壕沟隔离(48d)进行隔离，所述第二N+注入区(46)和第二P+注入区(47)之间通过第三浅壕沟隔离(48c)进行隔离。