[发明专利]读可靠性获得提高的含有多位存储单元的快闪存储器件有效
申请号: | 201010616568.8 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102148058A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 蔡东赫;韩真晚 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 集成电路存储器件包括非易失性N位存储单元阵列,其中N为大于1的整数。还提供控制电路以从N位存储单元中可靠地读取数据。此外,该控制电路电耦接到所述阵列,它被配置为用于确定在阵列的所选择的N位存储单元中所存储数据的至少一位的数值。这可以通过利用在读操作期间被应用于所选择的N位存储单元的相应多个不相等的读电压对从所选择的N位存储单元中读取的至少一个硬数据和多个软数据(例如,6个数据值)进行解码来实现。 | ||
搜索关键词: | 可靠性 获得 提高 含有 存储 单元 闪存 器件 | ||
【主权项】:
一种快闪存储器件,包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;控制逻辑,被配置为控制对存储单元的读操作;页面缓冲电路,被配置为响应于控制逻辑的控制从多个所选择的存储单元的每一个中读取硬判决数据和多个软判决数据,并且输出所读取的硬判决数据和多个软判决数据作为读取结果;以及电压产生器,被配置为响应于控制逻辑的控制产生用于读取硬判决数据和多个软判决数据的多个读电压。
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