[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010617456.4 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102544097A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/8238;H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构在SOI衬底上形成，所述SOI衬底自上而下依次包括SOI层、氧化物埋层、半导体埋层和半导体衬底，所述半导体结构包括：源/漏区，形成于所述SOI层中；栅极，形成于所述SOI层上，并且所述源/漏区位于栅极的两侧；背栅区，由所述半导体埋层的低电阻化的区域形成；第一隔离结构和第二隔离结构，位于所述源/漏区的两侧且延伸进入所述SOI衬底中；其中：所述第一隔离结构和第二隔离结构，分别与所述SOI层侧接于第一侧面和第二侧面，所述第一隔离结构与所述半导体埋层侧接于第三侧面，所述第三侧面位于所述第一侧面和第二侧面之间。本发明的实施例有助于避免源漏区与背栅区之间的短路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，在SOI衬底上形成，所述SOI衬底自上而下依次包括SOI层、氧化物埋层、半导体埋层和半导体衬底，所述半导体结构包括：源/漏区，形成于所述SOI层中；栅极，形成于所述SOI层上，并且所述源/漏区位于栅极的两侧；背栅区，由所述半导体埋层的低电阻化的区域形成；第一隔离结构和第二隔离结构，位于所述源/漏区的两侧且延伸进入所述SOI衬底中；其中：所述第一隔离结构和第二隔离结构，分别与所述SOI层侧接于第一侧面和第二侧面，所述第一隔离结构与所述半导体埋层侧接于第三侧面，所述第三侧面位于所述第一侧面和第二侧面之间。
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