[发明专利]一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法无效
申请号: | 201010617739.9 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102093055A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 余兆菊;詹俊英;周聪;杨乐;涂惠彬;廖志楠;何国梅;夏海平;陈立富;张立同 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法。属于无机非金属材料领域,提供一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法。在惰性气氛保护下,将二氯二茂钛和超支化聚碳硅烷加入溶剂中得溶液;将所得溶液中的溶剂脱除,剩余物在惰性气氛下进行裂解反应,反应结束后即得碳化硅/碳化钛复相陶瓷。解决了现有的先驱体转化法制备碳化硅/碳化钛复相陶瓷过程中,因为引入氧而导致的复相陶瓷力学性能和耐高温性能下降的问题,所用工艺简单,成本低廉,制得的碳化硅/碳化钛复相陶瓷产率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 碳化 钛复相 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)在惰性气氛保护下,将二氯二茂钛和超支化聚碳硅烷加入溶剂中得溶液;2)将步骤1)所得溶液中的溶剂脱除,剩余物在惰性气氛下进行裂解反应,反应结束后即得碳化硅/碳化钛复相陶瓷。
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