[发明专利]太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池的制作方法包括以下步骤：步骤S1、在P型晶片表面形成N+型掺杂层，该N+型掺杂层中具有N++型重掺杂区域；步骤S2、在P型晶片背面形成P型掺杂层；步骤S3、在P型晶片表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；步骤S4、在P型晶片表面形成表面电极，该表面电极位于与该N++型重掺杂区域相对应的位置；步骤S5、在P型晶片背面形成背面电极；步骤S6、将P型晶片在700--1100℃烧结，使金属电极元素和晶片共晶复合，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种太阳能电池。本发明采用选择性发射极的结构，减少了表面电极和基底之间的接触电阻，提高了太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S1、在P型晶片表面中形成N+型掺杂层，该N+型掺杂层中具有N++型重掺杂区域；步骤S2、在P型晶片背面中形成P型掺杂层；步骤S3、在P型晶片表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；步骤S4、在P型晶片表面形成表面电极，该表面电极位于与该N++型重掺杂区域相对应的位置；步骤S5、在P型晶片背面形成背面电极；步骤S6、将P型晶片在700‑‑1100℃烧结，使金属电极元素和晶片共晶复合，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。