[发明专利]双重曝光方法无效
| 申请号： | 201010619489.2 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102096335A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的双重曝光方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布光刻胶材料；在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料；以及在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光。根据本发明的双重曝光方法通过引入阻挡层材料，以降低现有的双重曝光技术中光刻胶在两次曝光之间的记忆，从而减少第二次曝光对第一次曝光光刻胶材料的影响；并且，根据本发明的双重曝光方法减少了双重图形技术的刻蚀等工艺步骤，从而大大降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种双重曝光方法，其特征在于包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布光刻胶材料；在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料；以及在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光。
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