[发明专利]一种多晶铸锭晶体的生长工艺有效
| 申请号： | 201010619898.2 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102031556A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李会吴;周基江;陈方芳 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池铸锭技术领域，尤其是一种多晶铸锭晶体的生长工艺，对晶体生长过程中的长晶时间、长晶温度和长晶初期隔热笼提升位置的调整带动功率的PID控制输出，形成避免熔硅组分过冷的可抑制微晶形成的渐增式功率变化趋势，有效地克服熔硅组分过冷，抑制晶锭中微晶的形成，大大提升产品的良率且可延长铸锭炉老热场的使用寿命，使产品的成本得到很好的控制，提高产品的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 晶体 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶铸锭晶体的生长工艺，适用于DSS450多晶铸锭炉，其特征是：对晶体生长过程中的长晶时间、长晶温度和长晶初期隔热笼提升位置的调整带动功率的PID控制输出，形成避免熔硅组分过冷的可抑制微晶形成的渐增式功率变化趋势。
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