[发明专利]一种金属表面残留物的去除方法无效
| 申请号： | 201010619948.7 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102543674A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈东强;彭洪修;王胜利;刘兵;孙广胜 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23G1/24 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属表面残留物去除方法，所述方法主要应用于半导体制造时内部互连(Inter Cornection)金属层刻蚀后的清洗或者金属层光阻返工中光阻残留物的清洗。所述清洗方法主要包括：清洗液清洗，低温去离子水清洗，表面干燥。通过在清洗液清洗后增加一步低温去离子水清洗可以有效减少清洗液和去离子水的混合物对暴露在表面的金属薄膜层的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属表面 残留物 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种金属表面残留物的去除方法，包括：1)清洗液清洗；2)低温去离子水清洗；3)表面干燥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安集微电子(上海)有限公司，未经安集微电子(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010619948.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
