[发明专利]硅太阳电池片的光致热扩散制结方法无效
| 申请号： | 201010620083.6 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208482A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 袁晓;柳翠 | 申请（专利权）人： | 袁晓;柳翠 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/22 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200333 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，该方法是在硅片表面均匀涂覆一层N型浆料或P型浆料，用加热光源照射，使N型浆料或P型浆料在加热光源照射下快速升温，在高温作用下N型浆料或P型浆料中的掺杂剂向硅片表层扩散，形成P-N结或高低结。本发明采用光照致热的方式实现太阳电池扩散制结过程，相对于常规的高温热扩散工艺，本发明的工艺时间短、扩散层参数可控，可避免硅片因长时高温引起的热损伤，并且大幅提高了太阳电池性能，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 光致热 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，其特征在于：该方法是在硅片表面均匀涂覆一层N型浆料或P型浆料，用加热光源照射，使N型浆料或P型浆料在加热光源照射下快速升温，在高温作用下N型浆料或P型浆料中的掺杂剂向硅片表层扩散，形成P‑N结或高低结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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