[发明专利]一种单晶棒外圆的滚磨方法无效

专利信息
申请号: 201010620114.8 申请日: 2010-12-23
公开(公告)号: CN102172874A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 吴胜登;余俊军;毛建军;吴志锋 申请(专利权)人: 万向硅峰电子股份有限公司
主分类号: B24B19/22 分类号: B24B19/22;B24B9/16
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 舒良
地址: 324300 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种单晶棒外圆的滚磨方法,该方法是把单晶棒夹在滚磨机上,调好同心度,然后将磨头与晶棒角度成两侧接触晶棒,如设定磨头最初与单晶棒接触的前一侧的进刀深度小于N值,则另一侧在前一侧的研磨下的进刀深度为N值。采用本发明方法,由于改单侧研磨为双侧研磨,磨头两侧同时与工件前后进行外圆研磨,一个磨头达到两个磨头的效能,因此能提高滚磨效率。
搜索关键词: 一种 单晶棒外圆 方法
【主权项】:
一种单晶棒外圆的滚磨方法,其特征在于把单晶棒夹在滚磨机上,调好同心度,然后将磨头与晶棒角度成两侧接触晶棒,如设定磨头最初与单晶棒接触的前一侧的进刀深度小于N值,则另一侧在前一侧的研磨下的进刀深度为N值。
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