[发明专利]相变存储器底电极结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种相变存储器底电极结构的制备方法，该方法先通过CMP去除底电极接触沟槽上方的氮化钛；再分别利用低选择比的刻蚀气体及高选择比的刻蚀气体对所述氮化钛同时进行行方向及列方向刻蚀，形成柱状结构的氮化钛底电极结构；最后再沉积填充物，填充刻蚀后的空隙，并对所述填充物进行回蚀，使器件顶部保持平整；从而使得工艺易于控制，且不会造成层间介质层过多地损失。

主权项

一种相变存储器底电极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，其中，所述半导体衬底上已制备MOS器件阵列以及接触孔阵列，所述接触孔阵列中的每个接触孔分别与所述MOS器件阵列中的一个MOS器件的有源区相连接，所述接触孔制备在层间介质层中；依次沉积氮化硅层及氧化硅层，所述氮化硅层及氧化硅层覆盖所述接触孔；对所述氧化硅层及氮化硅层进行刻蚀，在所述氧化硅层及氮化硅层中形成底电极接触沟槽，所述底电极接触沟槽与所述接触孔的一部分相连；沉积氮化钛，所述氮化钛覆盖所述氧化硅层、底电极接触沟槽的底部及侧壁；在所述氮化钛上沉积氧化层，所述氧化层填满所述底电极接触沟槽；对所述氧化层及氮化钛进行CMP，直至去除所述氧化硅层上的氮化钛；上光阻，并对所述光阻进行光刻，光刻后的光阻位于所述接触孔的上方，并覆盖所述接触孔，且光刻后的光阻沿所述接触孔阵列的列方向的尺寸大于所述接触孔的尺寸，沿行方向的尺寸等于所述接触孔的尺寸；以所述光刻后的光阻为掩膜，先以低选择比的刻蚀气体对所述氧化层与所述氮化钛进行刻蚀，直至刻蚀至所述氮化钛；再以高选择比的刻蚀气体将所述氮化钛刻蚀掉；去除剩余的光阻；沉积填充物，填满刻蚀后的孔隙，并对所述填充物进行回蚀，直至回蚀至所述氧化硅层。