[发明专利]蓝宝石衬底LED芯片的切割方法有效
| 申请号： | 201010620254.5 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102130238A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张汝京;肖德元;饶青 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，该方法包括划片槽光刻；两步感应耦合等离子体干法刻蚀分别对氮化镓和蓝宝石衬底进行刻蚀，形成划片槽；以及去除剩余的光刻胶，并对所述LED芯片进行清洗；从而避免了在划片过程中造成划片槽侧壁步平整及损伤，并且在划片槽内没有残留微粒，从而不会影响LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 led 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：将所述蓝宝石衬底进行背面减薄至50～100um，其中所述蓝宝石衬底上已制备有LED芯片及电极；在所述LED芯片正面上光阻，并对所述光阻进行光刻，在所述光阻上形成划片槽图案；以所述被图案化的光阻为掩膜，在第一刻蚀条件下对所述LED芯片进行感应耦合等离子体干法刻蚀，直至刻蚀到所述蓝宝石衬底；以所述被图案化的光阻为掩膜，在第二刻蚀条件下对所述蓝宝石衬底进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻蚀深度为10～20um，形成划片槽；去除剩余的光刻胶，并对所述LED芯片进行清洗；对所述LED芯片依次进行裂片及扩张，形成多个LED芯片单元。
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