[发明专利]TSV通孔研磨清洗后的干燥方法及干燥设备无效
| 申请号： | 201010620317.7 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569024A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈枫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00;B24B37/00;F26B3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TSV通孔研磨清洗后的干燥方法及干燥设备，通过使加热且流动的惰性气体吹向晶圆的TSV通孔，使存在于TSV通孔内部的水分得到充分的干燥，从而可避免残留于TSV通孔内的水分对TSV通孔进行腐蚀，可有效提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 研磨 清洗 干燥 方法 干燥设备 | ||
【主权项】：
一种TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，包括以下步骤：提供一具有TSV通孔的晶圆，所述TSV通孔经历过填充但并未被填满，所述晶圆在经历所述TSV通孔填充后还经历去除所述晶圆上TSV通孔外部的沉积膜层的化学机械研磨，其后所述晶圆还经历清洗；对所述晶圆进行异丙醇气相干燥，去除所述晶圆表面残留的液体；对所述晶圆进行加热惰性气体干燥，将所述晶圆置于被加热且流动的惰性气体氛围中，通过所述惰性气体使所述晶圆TSV通孔内部的残留液体得到蒸发去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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