[发明专利]一种半导体研磨方法无效
| 申请号： | 201010620461.0 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102528646A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/20 | 分类号： | B24B37/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体研磨方法，包括以下步骤：提供固结磨料研磨垫，所述固结磨料研磨垫放置在研磨台上；提供第一溶液，对所述固结磨料研磨垫进行活化处理；提供晶圆，并在固结磨料研磨垫上研磨；进一步，研磨结束后，用第二溶液对固结磨料研磨垫进行清洗处理。本发明的研磨方法能够改善晶圆表面研磨速率的不均衡性，以及固结磨料研磨垫表面的清洗效果，提高晶圆的研磨平整度，从而提高晶圆的研磨效果及生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：提供固结磨料研磨垫，所述固结磨料研磨垫放置在研磨台上；用第一溶液对所述固结磨料研磨垫进行活化处理，使固结磨料研磨垫表面具有亲水性；将晶圆放置于固结磨料研磨垫上进行研磨。
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