[发明专利]一种单晶硅棒外圆切割加工方法和装置有效
| 申请号： | 201010620832.5 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102554377A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 方峰;赵阳;郑沉;孔祥玉;高朝阳;侯艳柱;叶松芳;刘红艳 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B23H7/02 | 分类号： | B23H7/02;B23H7/34 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单晶硅棒外圆切割加工方法及装置，属于非接触式电火花加工范畴。切割加工的方法是：以钼丝或钼合金金属细丝作为工作电极，使走丝速度在1-30m/s之间，在切割加工过程中，脉冲发生器的电压脉冲宽度在1-100μs之间且可调；电压在0-200伏特之间，加工工作液的电导率为0.5-50ms/cm。针对重掺杂单晶(电阻率在0.0001-0.10Ω.cm范围)单晶硅棒(锭)，锭长100-400cm。采用较高电导率(0.5-50ms/cm)工作液，基于无切削力的电火花放电原理，实现单晶硅棒(锭)外圆切割加工一次成型且晶体表面几乎没有加工应力损伤残留。这种单晶硅棒(锭)外圆切割加工工艺方法可以保留单晶的外壳(重量占单晶的5-15％)，这部分材料可以回收。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 棒外圆 切割 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种单晶硅棒外圆切割加工方法，其特征是：它包括以下步骤：以钼丝或钼合金金属细丝作为工作电极，使走丝速度在1‑30m/s之间，在切割加工过程中，脉冲发生器的电压脉冲宽度在1‑100μs之间且可调；电压在0‑200伏特之间，加工工作液的电导率为0.5‑50ms/cm。
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