[发明专利]分立栅存储器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种分立栅存储器件的形成方法，包括：提供衬底；衬底上形成两个控制栅，所述两个控制栅间的区域为擦除栅区，所述两个控制栅外的区域为字线区；形成侧墙，及位于所述侧墙侧面的牺牲侧墙；以所述牺牲侧墙为掩膜，形成浮栅；去除牺牲侧墙；形成隧穿氧化层及擦除栅，所述擦除栅与所述浮栅具有侧向的重叠部分。本发明还提供一种分立栅存储器件。本发明通过形成浮栅侧向突出部，并使得擦除栅与浮栅具有侧向的重叠部分，所述重叠部分可以有效降低隧穿氧化层的势垒的宽度，提高信息擦除速度。本发明通过一次刻蚀氧化硅和氮化硅两层形成双层侧墙，作为字线和浮栅间的间隙层，简化间隙层的工艺过程，提高间隙层的均匀性，从而提高写入均匀性。

主权项

一种分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅氧化层、浮栅多晶硅层、介质层及控制栅多晶硅层；以所述浮栅多晶硅层为刻蚀停止层，刻蚀控制栅多晶硅层，形成两个控制栅，所述两个控制栅相向一侧的空间为擦除栅区，所述两个控制栅相背一侧的空间为字线区；形成位于每个控制栅两侧的侧墙，所述侧墙还位于所述浮栅多晶硅层近字线区的一侧；在所述侧墙的表面形成牺牲侧墙；以所述牺牲侧墙为掩膜，刻蚀所述浮栅多晶硅层，形成浮栅，所述浮栅近字线区的一端与控制栅齐平，另一端除位于控制栅下方，还位于双层侧墙和牺牲侧墙下方，所述两个浮栅相向一侧的空间为擦除栅区；对近擦除栅区的两个浮栅间的衬底进行离子注入，形成源区；去除所述牺牲侧墙，所述浮栅侧向突出于所述控制栅结构，形成有浮栅的侧向突出部；形成隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖控制栅近擦除栅区一侧的表面和浮栅近擦除栅区一侧的表面，所述隧穿氧化层的厚度小于牺牲侧墙的厚度；形成位于字线区的字线及位于字线及衬底间的字线氧化层、形成位于擦除栅区的擦除栅，所述擦除栅与浮栅结构具有侧向的重叠部分，所述字线和浮栅间形成有侧墙。