[发明专利]用于改善阻尼力的带有主通道和次通道的磁流变(MR)活塞组件有效

专利信息
申请号: 201010621508.5 申请日: 2010-11-01
公开(公告)号: CN102128231A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: R·T·福斯特;T·W·内尔;W·C·克拉克迈尔;O·雷诺尔德 申请(专利权)人: 北京京西重工有限公司
主分类号: F16F9/53 分类号: F16F9/53
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 柳爱国
地址: 102402 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 磁流变(MR)阻尼器包括具有主通道的活塞组件,其沿纵轴线布置并容纳在缸体中。MR流体也包含在该缸体内。具有主通道的活塞组件或主通道MR活塞组件包括活塞体,其具有第一端部,第一端部与第二端部轴向间隔并限定了贯通其中的孔。主通道被限定在活塞体的主体外表面中,其围绕轴线从第二端部处的孔延伸到主体外表面中的线圈凹槽。次通道被限定在主体外表面中,其从线圈凹槽朝向第一端部延伸,用于提高低的主通道MR活塞组件速度下MR阻尼力性能。
搜索关键词: 用于 改善 阻尼力 带有 通道 流变 mr 活塞 组件
【主权项】:
具有纵向轴线的磁流变(MR)阻尼器,包括:在其中容纳MR流体的同轴缸体;以及主通道MR活塞组件,其同轴地布置在所述缸体内,并适于可滑动地接合在所述缸体中以用于在缸体中进行轴向往复运动,该主通道MR活塞组件包括:活塞体,其限定贯通其中的同轴的孔,活塞体包括:主体外表面;第一端部和轴向远离第一端部的第二端部,并且第一端部和第二端部大体垂直于所述轴线;连接于第一端部的第一端板以及连接于第二端部的第二端板;圆周线圈凹槽,其围绕轴线限定于主体外表面中;主通道,其限定于主体外表面中,从第二端部处的所述孔延伸至圆周线圈凹槽;导电体,其布置在所述孔和主通道中,并且还配置成形成布置于圆周线圈凹槽中的电线圈;以及非磁性材料,其用于填充主通道和第二端部处的所述孔,从而有效地密封其中的导电体和电线圈;环形结构,其大体环绕所述轴线包围活塞体并连接于活塞体,该环形结构限定大体可磁激励MR流体通道,该大体可磁激励MR流体通道相对于所述轴线具有平行、环形间隔的关系;以及同轴的杆,该杆限定了贯通其中的同轴的开口并连接于第一端板,杆中的所述开口大体与活塞体中第一端部处的所述孔对准,并且包括与导电体电连接的导电体装置;其中:在活塞体的主体外表面中限定次通道,所述次通道从圆周线圈凹槽朝第一端部延伸,次通道填充有所述非磁性材料,并提供改进的低速MR阻尼力性能。
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