[发明专利]碳化硅单结晶的制造装置和制造方法无效
| 申请号： | 201010621547.5 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102134743A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 小岛淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈珊;刘兴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SiC单结晶制造装置(1)包括基座(9a)和加热坩埚(8)，籽晶(5)布置在基座上，加热坩埚(8)相对于基座(9a)布置在原料气体(3)的流动通道上游侧。通过从中空筒形件的上游端引入原料气体(3)并且从中空筒形件的下游端排出原料气体(3)，加热坩埚(8)将原料气体(3)供应给籽晶(5)。缩径部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，其开口部分的尺寸小于中空筒形件的开口尺寸。缩径部分(8d)的整个开口部分被包含在这样的区域内，即基座(9a)的外边沿着加热坩埚(8)的中心轴线方向投影所限定的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 结晶 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单结晶制造装置(1)，用于通过从由SiC单结晶基片制成的籽晶(5)下方供应SiC原料气体(3)，在籽晶(5)的表面上生长SiC单结晶，该装置包括：上面布置有籽晶(5)的基座(9a)，和相对于基座(9a)布置在原料气体(3)的流动通道上游侧的加热坩埚(8)，其中：所述加热坩埚(8)包括中空的筒形件和缩径部分(8d)；所述中空筒形件具有上游端和下游端；通过从中空筒形件的上游端引入原料气体(3)并且从中空筒形件的下游端排出原料气体(3)，加热坩埚(8)将原料气体(3)供应给籽晶(5)；缩径部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，并且具有小于中空筒形件的开口尺寸的开口部分；和缩径部分(8d)的整个开口部分被包含在这样的区域内，即基座(9a)的外边缘沿着加热坩埚(8)的中心轴线方向投影所限定的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010621547.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
