[发明专利]蚀刻方法及蚀刻处理装置有效
| 申请号： | 201010621800.7 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102129983A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 武川贵仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于以抗蚀剂膜作为掩模的反射防止膜的蚀刻处理的蚀刻方法和蚀刻处理装置。该蚀刻方法的特征在于，包括：在被蚀刻层上形成反射防止膜(Si-ARC膜)的工序；在上述反射防止膜上形成图案化了的抗蚀剂膜(ArF抗蚀剂膜)的工序；以上述抗蚀剂膜为掩模、使用含有CF4气体、COS气体和O2气体的蚀刻气体对上述反射防止膜进行蚀刻处理、从而在上述反射防止膜上形成期望的图案的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括：在被蚀刻层上形成反射防止膜的工序；在上述反射防止膜上形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；以上述抗蚀剂膜为掩模、将含有CF4气体、COS气体和O2气体的蚀刻气体导入处理室内、利用被导入的蚀刻气体对上述反射防止膜进行蚀刻处理、从而在上述反射防止膜上形成期望的图案的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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