[发明专利]成膜装置

摘要

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使载置有多个晶圆的旋转台旋转，晶圆依次与供给到第1和第2处理区域中的第1和第2反应气体接触，在晶圆的表面形成薄膜，设有进行使第1反应气体吸附于晶圆表面的处理的第1处理区域、及面积大于该第1处理区域的面积的、进行使第2反应气体与吸附在晶圆表面的第1反应气体发生化学反应的处理的第2处理区域，与吸附相比，能够将化学反应的处理时间确保得较长，即使提高旋转台的转速，也能够充分地进行与金属吸附相比需要更长时间的化学反应而进行良好的成膜处理。

主权项

一种成膜装置，该成膜装置在真空容器内使载置有多个基板的旋转台旋转，上述多个基板依次与供给到多个处理区域中的多种反应气体接触，在上述多个基板的表面形成薄膜，其特征在于，包括：反应气体供给部，其与旋转过程中的上述多个基板附近相对地设置在上述多个处理区域中，用于朝向上述多个基板的方向分别供给上述多种反应气体；分离气体供给部，其向设置在上述多个处理区域之间的分离区域内供给用于防止供给到上述多个处理区域中的上述多种反应气体发生反应的分离气体；排气机构，在上述多个处理区域的各自外侧，该排气机构在与上述旋转台的外周方向相对应的范围中设有排气口，将供给到上述多个处理区域的多种反应气体和供给到上述分离区域的分离气体经由上述处理区域引导到上述排气口，该排气机构与上述排气口连通而进行排气；上述多个处理区域包括：第1处理区域，在该区域中，进行使第1反应气体吸附于上述多个基板的表面的处理；第2处理区域，该第2处理区域的面积大于该第1处理区域的面积，在该区域中，进行使第2反应气体与吸附在上述多个基板的表面的上述第1反应气体发生反应而在上述多个基板表面成膜的处理。