[发明专利]层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 201010621871.7 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102148217A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/498;H01L21/768;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种低介电常数且不会产生CFx、SiF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上表面被氮化的碳氟膜。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 布线 结构 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子装置，其具有多层布线结构，其特征在于，作为所述多层布线结构的层间绝缘膜，至少具备形成在基底层上，表面被氮化的碳氟膜。
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