[发明专利]半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201010621954.6 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102315182A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄见翎;黄英叡;林正怡;雷弋易;林正忠;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体芯片及其制造方法，其中半导体芯片包含一导电凸块位于一半导体芯片上。提供一基材，其上具有一连接焊盘，该连接焊盘上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，该顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位于该铜柱的顶面上。该镍层的底面具有一第二宽度。第二宽度对第一宽度的比例为约0.93至1.07。一焊料位于该盖层的该顶面上。本发明可减少导电柱与焊料之间的界面因应力而产生的破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括：一基材；一连接焊盘，位于该基材上；一凸块下金属层，位于该连接焊盘上；一铜柱，位于该凸块下金属层上，该铜柱具有一顶面及一凹型侧壁，其中该顶面具有一第一宽度；一镍盖层，具有一顶面及一底面，位于该铜柱的该顶面上，该镍盖层的底面具有一第二宽度，其中该第二宽度对该第一宽度的比例为约0.93至1.07；以及一焊料，位于该镍盖层的该顶面上。
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