[发明专利]一种带静电保护的发光二极管及其制备方法无效
申请号: | 201010622196.X | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102569330A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 吴东海 | 申请(专利权)人: | 同方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种带静电保护的发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管中包括一个主发光二极管和一个集成的静电损伤保护二极管,主发光二极管的正极与静电损伤保护二极管的负极相连并引出作为正极,主发光二极管的负极与静电损伤保护二极管的正极相连引出作为负极。发光二极管的一侧有一条从顶面刻蚀到蓝宝石衬底的绝缘沟道,绝缘沟道上填充有SiO2绝缘层,SiO2绝缘层外围覆盖有金属接触电极。本发明能提高发光二极管的抗静电性能,延长发光二极管的使用寿命,具有制作流程简单、成本较低、适合于批量生产的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 保护 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种带静电保护的发光二极管,它包括蓝宝石衬底(10)以及依次置于蓝宝石衬底(10)上方的N型GaN层(11)、有源发光层(12)、P型GaN层(13)和ITO薄膜(14),ITO薄膜(14)和N型GaN层(11)上分别置有金属接触电极(16),其特征在于,所述发光二极管中包括一个主发光二极管(1)和一个集成的静电损伤保护二极管(2),主发光二极管(1)的正极与静电损伤保护二极管(2)的负极相连并引出作为正极,主发光二极管(1)的负极与静电损伤保护二极管(2)的正极相连引出作为负极;发光二极管的一侧有一条从顶面刻蚀到蓝宝石衬底(10)的绝缘沟道,绝缘沟道上填充有SiO2绝缘层(15),SiO2绝缘层(15)外围覆盖有金属接触电极(16)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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