[发明专利]一种能提高光提取效率的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010622199.3 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569588A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张雪亮;吴东海 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种能提高光提取效率的发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括基板以及置于基板上方的依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。透明导电层上的一端置有P型电极，在N型半导体层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述P型半导体层和透明导电层之间置有正向光导出结构，正向光导出结构为等间距矩阵排列的数多个小凸块。同现有技术相比，本发明通过位于发光二极管第二层面的正向光导出结构来提升发光二极管的亮度，提高发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 提取 效率 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种能提高光提取效率的发光二极管，它包括基板(11)以及置于基板(11)上方的依次由N型半导体层(21)、发光层(22)、P型半导体层(23)和透明导电层(41)组成的发光结构，透明导电层(41)上的一端置有P型电极(52)，在N型半导体层(21)上、与P型电极(52)相对的另一端置有N型电极(51)；其特征在于，所述P型半导体层(23)和透明导电层(41)之间置有正向光导出结构(31)，正向光导出结构(31)为等间距矩阵排列的数多个小凸块。
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