[发明专利]一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法无效
申请号: | 201010622201.7 | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102569577A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 张雪亮 | 申请(专利权)人: | 同方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的氮化镓层、ITO薄膜和SiO2保护层二。ITO薄膜和氮化镓层上分别置有金属电极。其结构特点是,所述蓝宝石衬底的底面有数多个粗化孔,蓝宝石衬底下表面附着反射层。同现有技术相比,本发明可以有效提高光提取效率,提升芯片的质量和性能,具有工艺简单,适宜大量生产的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 发光 效率 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种提高发光效率的发光二极管,它包括蓝宝石衬底(1)以及依次置于蓝宝石衬底(1)上方的氮化镓层(2)、ITO薄膜(5)和SiO2保护层二(7),ITO薄膜(5)和氮化镓层(2)上分别置有金属电极(9),其特征在于,所述蓝宝石衬底(1)的底面有数多个粗化孔(4),蓝宝石衬底(1)下表面附着反射层(10)。
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