[发明专利]一种制作独立发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201010622206.X | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569544A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王立彬 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作独立发光二极管的方法，涉及光电技术领域。本发明的方法步骤为：①在蓝宝石衬底上形成外延层；②在外延层上表面形成掩蔽层；③深刻蚀露出蓝宝石衬底的上表面；④在器件表面生长一层SiO2膜；⑤露出蓝宝石衬底上的切割面；⑥在切割面上划片；⑦用磷酸与硫酸混合液体腐蚀掉熔渣碎屑；⑧腐蚀掉SiO2膜；⑨在每块外延层上进行台面刻蚀、电极和钝化层的制作，再从蓝宝石衬底底面进行研磨、裂片，形成多个独立发光二极管。本发明结合切割道深刻蚀与侧壁腐蚀技术，避免了划片过程中激光直接作用于GaN外延层，减少了激光对外延层的影响，保证了发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 独立 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制作独立发光二极管的方法，其步骤为：①在蓝宝石衬底(1)上采用外延的方法形成外延层(2)，外延层(2)包含N‑GaN层、有源层和P‑GaN层；②在外延层(2)上表面涂光刻胶、曝光并显影形成掩蔽层(3)；③用ICP设备进行深刻蚀，露出蓝宝石衬底(1)的上表面(10)，去除光刻胶并清洗；④在器件表面生长一层SiO2膜(8)；⑤在每两块外延层(2)之间的区域涂胶、曝光、显影，并用BOE进行湿法腐蚀，露出蓝宝石衬底(1)上的切割面(4)，然后去除光刻胶；⑥用激光划片机在切割面(4)上划片，产生熔渣碎屑(9)；⑦用磷酸与硫酸混合液体腐蚀掉熔渣碎屑(9)；⑧用BOE溶液腐蚀掉SiO2膜(8)；⑨在每块外延层(2)上进行台面刻蚀、电极和钝化层的制作，再从蓝宝石衬底(1)底面进行研磨、裂片，形成多个独立发光二极管。
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