[发明专利]一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟有效
| 申请号： | 201010622618.3 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102560683A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘佐星;孙洪波;赵伟;王海涛;蔡丽燕;冯丽 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟，本方法将原放置硅片的石英舟槽体的断面从V型改成为其槽体底部为圆弧型，槽体斜面与硅片的倒角相平行，使硅片在石英舟中的接触面为面接触。本发明的优点是：改变传统石英舟的开槽方式，由原来的V型槽，充分考虑到倒角边缘的形状设计新的开槽方式，通过改变R，H，M值能够适用不同产品规格的硅片，改变了倒角的边缘与石英舟的接触方式，从而是硅片由原来的点接触改变成面接触，大大增加了接触面积，减少两种材料由于应力和热应力不同对硅片边缘的损伤，降低崩边的比率，能降低0.3-0.6％的崩边比率，提高了产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 硅片 热处理 过程 中崩边 方法 石英 | ||
【主权项】：
一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法，其特征在于：将原放置硅片的石英舟槽体的断面从V型改成为其槽体底部为圆弧型，槽体斜面与硅片的倒角相平行，使硅片在石英舟中的接触面为面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料股份有限公司，未经有研半导体材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010622618.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纯中药制剂压疮外敷膏及其生产方法
- 下一篇：用于跟踪模型的系统和方法
