[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010623025.9 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102157380A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑会晟;申东石;金东赫;许晶植;金明宣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306;H01L29/04;H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法包括在半导体基底上形成栅电极并在所述栅电极上形成侧壁间隔件。然后，部分地蚀刻位于所述侧壁间隔件的两侧的所述半导体基底的一部分，以形成沟槽。在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层。在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层。根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，从而形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在半导体基底上形成栅电极；在所述栅电极上形成侧壁间隔件；在所述侧壁间隔件的两侧部分地蚀刻所述半导体基底的一部分，以形成沟槽；在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层；在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层；根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，以形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
