[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201010623389.7 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102110754A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 尹余镇;徐源哲 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王青芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管被构造为防止由于形成电极或电极焊盘而导致的发光面积减小。发光二极管包括：下半导体层，形成在基底上；上半导体层，设置在下半导体层之上，以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分；第一电极，形成在上半导体层的区域上，绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间，以将电流供应到下半导体层；第二电极，形成在上半导体层的另一区域上，以将电流供应到上半导体层；第一电极的延伸部分，从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：下半导体层，形成在基底上；上半导体层，设置在下半导体层之上，以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分；第一电极，形成在上半导体层的区域上，绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间，以将电流供应到下半导体层；第二电极，形成在上半导体层的另一区域上，以将电流供应到上半导体层；第一电极的延伸部分，从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分。
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