[发明专利]一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动方法无效
| 申请号： | 201010623538.X | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102074195A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 郭海成;代永平;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动方法。像素电路结构至少有读入PMOS管、PIP电容器、驱动PMOS管、写出PMOS管、地线保护PMOS管、视频数据串行位线、同时连接PIP上电极连线和驱动PMOS管源极连线的电源线、通过地线保护PMOS管漏极连线与所述地线保护PMOS管漏极相连接的0V地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极相连接的正相行选通线、通过写出PMOS管栅极连线与所述写出PMOS管栅极相连接的负相行选通线、与驱动电极连接线相连接的OLED发光层驱动电极。驱动方法有九个阶段，上电后循环完成。本发明降低了生产成本，降低了控制驱动电路的重量和空间体积，降低整机功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示 芯片 像素 电路 结构 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，至少由读入PMOS管源极(3)以及读入PMOS(P‑channel Metal Oxide Semiconductor，P型沟道金属氧化物半导体)管栅极以及读入PMOS管漏极(5)构成的读入PMOS管(4)、至少由PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)以及PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)构成的PIP(Poly Si‑insulator‑Poly Si，多晶硅‑绝缘层‑多晶硅)电容器、至少由驱动PMOS管源极(15)以及驱动PMOS管栅极(13)以及驱动PMOS管漏极(16)构成的驱动PMOS管(12)、至少由写出PMOS管(19)源极(18)以及写出PMOS管(19)栅极以及写出PMOS管(19)漏极构成的写出PMOS管(19)、至少由地线保护PMOS管源极(30)以及地线保护PMOS管栅极(34)以及地线保护PMOS管漏极(32)构成的地线保护PMOS管(31)、通过读入PMOS管源极连线(2)与所述读入PMOS管源极(3)相连接的视频数据串行位线(22)、同时连接PIP上电极连线(7)和驱动PMOS管源极连线(14)的电源线(1)、通过地线保护PMOS管漏极连线(33)与所述地线保护PMOS管漏极(32)相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极(23)相连接的正相行选通线(25)、通过写出PMOS管(19)栅极连线与所述写出PMOS管(19)栅极相连接的负相行选通线(27)、与驱动电极连接线(37)相连接的OLED发光层驱动电极(38)。
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