[发明专利]半导体器件

摘要

根据本发明的一种半导体器件，其包括n-型漂移区1；在漂移区1的表面部分中有选择地形成的P型基区2；在基区2的表面部分中有选择地形成的n+型发射区3和p+型体区4两者；以及在漂移区1和基区2之间的n型壳区5，该壳区5包围基区2下的整个区域。壳区5比漂移区1更重地掺杂。壳区5包含的n型杂质的有效杂质量为8.0×1011cm-2或更小。漂移区1呈现足够低的电阻率以防止从在漂移区1的背面上所形成的集电区10向壳区5扩展的耗尽层到达壳区5。根据本发明的半导体器件有助于提高其正向和反向耐压。根据本发明的半导体器件有助于防止截止电压波形和截止电流波形振荡。根据本发明的半导体器件有助于抑制在反向恢复电压波形和反向恢复电流波形上造成的振荡。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体区；第二导电类型的第二半导体区，其在所述第一半导体区的表面部分中有选择地形成；所述第一导电类型的第三半导体区，其在所述第二半导体区的表面部分中有选择地形成；从所述第三半导体区跨过所述第一半导体区的第一电极，其中在所述第一电极和所述第一半导体区之间插入绝缘薄膜；连接至所述第二半导体区和所述第三半导体区的第二电极；在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的所述第一导电类型的第四半导体区，所述第四半导体区至少占据所述第二半导体区之下的一区域；在所述第一半导体区的背面上的所述第二导电类型的第五半导体区；与所述第五半导体区接触的第三电极；所述第四半导体区比所述第一半导体区更重地掺杂，所述第四半导体区包含所述第一导电类型的杂质，其平均杂质量为8.0×1011cm‑2或者更小；以及所述第一半导体区呈现足够低的电阻率以防止从所述第五半导体区扩展的耗尽层到达所述第四半导体区。