[发明专利]电解加工方法及电解加工件半成品无效
申请号: | 201010624884.X | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102528185A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 洪荣洲;林大裕 | 申请(专利权)人: | 财团法人金属工业研究发展中心 |
主分类号: | B23H3/00 | 分类号: | B23H3/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种电解加工方法,通过此加工方法提高电解加工的尺寸精度,特别对于导电度较高的金属加工件进行电解加工时,先形成一金属屏蔽层于该加工件的表面,通过金属屏蔽层作为电解加工的保护牺牲层,同时保护加工件的非加工区域,以降低加工件的侧向加工性,如此提高加工件电解加工的尺寸精度,同时亦提高两加工结构之间隔尺寸微小化的电解加工可行性。此外,本发明提供一种电解加工件半成品,其包含加工件以及金属屏蔽层,金属屏蔽层形成于加工件的表面,金属屏蔽层的导电度或体积电化学当量小于加工件的导电度或体积电化学当量。 | ||
搜索关键词: | 电解 加工 方法 工件 半成品 | ||
【主权项】:
一种电解加工方法,其特征在于,是包含:提供一加工件,并形成一金属屏蔽层于该加工件的表面;提供一电极单元,其相对于该金属屏蔽层,并具有至少一导电加工部;供应一电解液至该加工件与该电极单元之间;供应一电源至该加工件及该电极单元;电解该金属屏蔽层,形成至少一穿透结构于该金属屏蔽层,该穿透结构对应该电极单元的该导电加工部;穿透该穿透结构以对该加工件进行电解加工,该加工件的电解加工速度大于该金属屏蔽层的电解加工速度,以形成至少一加工结构于该加工件;以及移除该金属屏蔽层,得到具有该至少一加工结构的该加工件。
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