[发明专利]用于比较SeOI上的内容寻址存储器中数据的装置

摘要

本发明涉及一种用于比较SeOI上的内容寻址存储器中的数据的装置，其包括：存储器单元，其由存储数据比特的第一晶体管和存储数据比特的补码的第二晶体管组成，晶体管被制造在绝缘体上半导体衬底上且每个晶体管都具有可被控制以截止该晶体管的前控制栅极和后控制栅极；比较电路，其被配置为：通过向每个晶体管的前控制栅极施加标定读电压，同时控制每个晶体管的后控制栅极，使得一个晶体管具有提出的比特，另一个晶体管具有提出比特的补码，以在所提出的比特和存储的比特一致的情况下截止所述晶体管中的导通晶体管，从而在读模式下操作第一和第二晶体管；和检测在连接到每个晶体管的源极的源极线上是否存在电流以指示提出的比特和存储的比特是否相同。

主权项

一种比较内容寻址存储器中的数据的装置，该装置包括：存储器单元，所述存储器单元由存储数据比特(BIT)的第一晶体管(T1)和存储所述数据比特的补码(BITb)的第二晶体管(T2)形成，所述晶体管被制造在绝缘体上半导体衬底上并且所述晶体管中的每一个都具有前控制栅极(CG)和后控制栅极(BG1、BG2)，所述前控制栅极和所述后控制栅极能够被控制以截止所述晶体管；比较电路，所述比较电路被配置为执行以下操作：通过向所述晶体管中的每一个的所述前控制栅极施加标定的读电压，同时控制所述晶体管中的每一个的所述后控制栅极，使得一个晶体管具有所提出的比特(DATA)，另一个晶体管具有所提出比特的补码(DATAb)，以在所提出的比特(DATA)和存储的比特(BIT)一致的情况下截止所述晶体管中的导通晶体管，从而在读模式下操作所述第一晶体管和所述第二晶体管；和检测在连接到所述晶体管中的每一个的源极的源极线(SL)上是否存在电流，以指示所提出的比特(DATA)和存储的比特(BIT)是否相同。